“WL”是“Wetting Layer”的缩写，意思是“润湿层”

英语缩略词“WL”经常作为“Wetting Layer”的缩写来使用，中文表示：“润湿层”。本文将详细介绍英语缩写词WL所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词WL的分类、应用领域及相关应用示例等。

“WL”（ 润湿层 ）释义

• 英文缩写词：WL
• 英文单词：Wetting Layer
• 缩写词中文简要解释：润湿层
• 中文拼音：rùn shī céng
• 缩写词流行度：386
• 缩写词分类：Academic & Science
• 缩写词领域：Meteorology

以上为Wetting Layer的英文缩略词WL的中文解释，以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。

英文缩略词WL的扩展资料

The wetting layer may be substantially subsumed in the high content solder forming an intermetalpc compound layer.
可将润湿层(WL)基本包含于高含锡量焊料中以形成金属间复合层。

Effect of Wetting Layer(WL) Transition and Pure Dephasing on Rabi Oscillation Decoherence in Semiconductor Quantum Dots
半导体量子点中浸润层跃迁与纯失相对Rabi振荡退相干的影响

The effects of the Ga wetting layer on the selection of ZnO polarity and the reduction of defect density in epitaxial thin films have been discussed in detail. Meanwhile, a Ga bilayer model has been proposed to explain the mechanism of Zn unipolarity growth with this method.
本文详细讨论了Ga浸润层在ZnO薄膜的极性选择以及缺陷密度的减少等方面所起的作用，并通过一个双层Ga原子模型分析了单一Zn极性生长的机理。

Experiments reveal that the Ga wetting layer suppresses completely the formation of rotation domains and inversion domains which are the main causes of the quapty degradation of ZnO thin films.
实验发现，Ga薄层的引入完全抑制了导致ZnO薄膜质量下降的旋转畴和倒反畴的形成。

When brazing temperature exceeded 1020 ℃, chemical reaction layer and physical wetting layer appeared at both sides of filler metal.
钎焊温度超过1020℃，钎料两侧界面出现比较明显的化学反应层和物理润湿层(WL)。

上述内容是“Wetting Layer”作为“WL”的缩写，解释为“润湿层”时的信息，以及英语缩略词WL所代表的英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。