英语缩略词“InAs”经常作为“Indium Arsenide”的缩写来使用,中文表示:“砷化铟”。本文将详细介绍英语缩写词InAs所代表英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外,还有关于缩略词InAs的分类、应用领域及相关应用示例等。
以上为Indium Arsenide的英文缩略词InAs的中文解释,以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。
As one of the III-V group materials, InAs ( indium arsenide ) is an important narrow direct band semiconductor. It has high electron mobipty, low electron effective mass and a large exciton Bohr radius.
InAs是Ⅲ-Ⅴ族材料中一种重要的窄直接带隙半导体,具有高电子迁移率,低有效质量以及很大的激子玻尔半径。
X-ray measurement of the thermal expansion of germanium, sipcon, indium antimonide and galpum arsenide
锗、硅、锑化铟和砷化镓的热膨涨&用X射线衍射法测量
上述内容是“Indium Arsenide”作为“InAs”的缩写,解释为“砷化铟”时的信息,以及英语缩略词InAs所代表的英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。
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