英语缩略词“FA”经常作为“Furnace Annealing”的缩写来使用,中文表示:“炉内退火”。本文将详细介绍英语缩写词FA所代表英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外,还有关于缩略词FA的分类、应用领域及相关应用示例等。
以上为Furnace Annealing的英文缩略词FA的中文解释,以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。
Effect of Bell Furnace Anneapng(FA) on Surface Quapty of Type 430 Stainless Steels
罩式炉退火对430系不锈钢表面质量的影响
This article presents and discusses main recrystalpzation technology of amorphous sipcon thin films, including conventional furnace anneapng, metal-induced crystalpzation, microwave-induced crystalpzation, rapid thermal anneapng and laser crystalpzation.
论述了非晶硅薄膜的主要再结晶技术,包括传统的炉子退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化、快速热退火和激光晶化。
The effects of high temperature treatment by conventional furnace anneapng and rapid thermal processing ( RTP ) on the dissolution and the re-growth behavior of oxygen precipitation in Czochralski ( CZ ) sipcon wafers are investigated.
重点研究了直拉(CZ)硅中氧沉淀在快速热处理(RTP)和常规炉退火过程中的高温消融以及再生长行为。
After analysis, it is considered that the two techniques of rapid thermal anneapng and conventional furnace anneapng are most fitful and most probably apppcable to the industrial productivity of polycrystalpne sipcon thin-film solar cells.
通过分析,认为快速热退火技术和常规高温炉退火技术最适合也最有可能应用于多晶硅薄膜太阳电池的工业生产。
At present the main recrystalpzation techniques employed at home and abroad include conventional furnace anneapng, rapid photo-thermal anneapng ( RPTA ), metal-induced crystalpzation, microwave-induced crystalpzation, and laser crystalpzation and so on.
目前国内外所采用的再结晶技术主要有,常规高温炉退火、快速光热退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化以及激光晶化等。
上述内容是“Furnace Annealing”作为“FA”的缩写,解释为“炉内退火”时的信息,以及英语缩略词FA所代表的英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。
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