英语缩略词“InP”经常作为“Indium Phosphide”的缩写来使用,中文表示:“磷化铟”。本文将详细介绍英语缩写词InP所代表英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外,还有关于缩略词InP的分类、应用领域及相关应用示例等。
以上为Indium Phosphide的英文缩略词InP的中文解释,以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。
Indium Phosphide(InP) ( InP ) has been indispensable to both optical and electronic devices.
磷化铟(InP)(InP)已成为光电器件和微电子器件不可或缺的重要半导体材料。
Study of High Quapty Large Diameter Indium Phosphide(InP) Single Crystal
高质量、大直径磷化铟(InP)单晶研究
Uniformity of Undoped Semi-Insulating Indium Phosphide(InP) Wafers
非掺半绝缘磷化铟(InP)晶片的制备及其均匀性
ⅲ - ⅴ compound semiconductors, such as Galpum arsenide ( GaAs ), Indium phosphide ( InP ) and their doped materials, are suitable to make high speed and high power PCSS with picosecond ( ps ) time response.
利用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)(InP)及其掺杂材料制作的光导开关具有很好的时间响应及高功率输出特性。
With the advancement of the planar epitaxy technique for Indium phosphide ( InP ), highly-repable active semiconductor devices have been widely adopted in a variety of fields.
随着磷化铟(InP)材料外延技术的进步,高可靠性的半导体有源器件已走向成熟,被广泛应用于各个领域。
上述内容是“Indium Phosphide”作为“InP”的缩写,解释为“磷化铟”时的信息,以及英语缩略词InP所代表的英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。
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