“VPE”是“Vapor Phase Epitaxy”的缩写，意思是“气相外延”

英语缩略词“VPE”经常作为“Vapor Phase Epitaxy”的缩写来使用，中文表示：“气相外延”。本文将详细介绍英语缩写词VPE所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词VPE的分类、应用领域及相关应用示例等。

“VPE”（ 气相外延 ）释义

• 英文缩写词：VPE
• 英文单词：Vapor Phase Epitaxy
• 缩写词中文简要解释：气相外延
• 中文拼音：qì xiāng wài yán
• 缩写词流行度：228
• 缩写词分类：Academic & Science
• 缩写词领域：Electronics

以上为Vapor Phase Epitaxy的英文缩略词VPE的中文解释，以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。

英文缩略词VPE的扩展资料

Effect of nitridation on the properties of hydride vapor phase epitaxy ( HVPE ) grown GaN films was studied.
研究了衬底氮化过程对于氢化物气相外延(VPE)（HVPE）方法生长的GaN膜性质的影响。

The growth of single crystal AlN films by metal organic vapor phase epitaxy.
单晶AlN薄膜的金属有机气相外延(VPE)生长研究。

The AlN films grown by low pressure metal organic vapor phase epitaxy are doped by Si thermal diffusion using Si and SiNx films as diffusion source, and the roles of Si doping on the electrical properties of AlN films.
采用SiNx和Si为扩散源，对低压金属有机气相外延(VPE)生长的AlN薄膜进行了Si热扩散掺杂，研究了Si掺杂对AlN薄膜电学性质的影响。

The influence of carrier gas ( i.e. N 2 ) flow rate on the optical properties of GaN epilayers on sapphire substrates grown by horizontal hapde vapor phase epitaxy ( HVPE ) system was studied.
研究了利用水平氢化物气相外延(VPE)（HVPE）系统在蓝宝石衬底上外延氮化镓（GaN）的生长规律，重点研究了作为载气的氮气流量对GaN膜的结构及光学性质的影响。

Physical methods include evaporation and sputtering; Chemical methods mainly include molecule beam epitaxy ( MBE ), metal organic chemical vapor deposition ( MOCVD ), hydride vapor phase epitaxy ( HVPE ) and so on.
物理方法包括各种蒸发和溅射：化学方法主要包括分子束外延（MBE）、金属有机物化学气相沉积（MOCVD）、氢化物气相外延(VPE)（HVPE）等。

上述内容是“Vapor Phase Epitaxy”作为“VPE”的缩写，解释为“气相外延”时的信息，以及英语缩略词VPE所代表的英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。