“HCI”是“Hot Carrier Injection”的缩写，意思是“热载体注入”

英语缩略词“HCI”经常作为“Hot Carrier Injection”的缩写来使用，中文表示：“热载体注入”。本文将详细介绍英语缩写词HCI所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词HCI的分类、应用领域及相关应用示例等。

“HCI”（ 热载体注入 ）释义

• 英文缩写词：HCI
• 英文单词：Hot Carrier Injection
• 缩写词中文简要解释：热载体注入
• 中文拼音：rè zài tǐ zhù rù
• 缩写词流行度：501
• 缩写词分类：Academic & Science
• 缩写词领域：Electronics

以上为Hot Carrier Injection的英文缩略词HCI的中文解释，以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。

英文缩略词HCI的扩展资料

Step channel direct injection ( SCDI ) flash memory device which had been developed changes the hot carrier injection method by making a shallow step in the middle of channel. Therefore high speed for programming, high efficiency for injection, and lower working voltage are obtained.
研制成一种台阶沟道直接注入（SCDI）器件，通过在沟道的中间制作一个浅的台阶来改变热载流子的注入方式，从而获得了高的编程速度和注入效率，降低了工作电压。

Based on the formation theories of interface traps and oxide traps in Si-SiO2, further more the influences of hot carrier injection on 1 / f γ noise are discussed thoroughly.
基于Si/SiO2界面态和氧化层陷阱形成理论，深入讨论了该类器件热载流子注入对1/fγ的影响，提出了用噪声参数S？

A hot carrier injection degradation model for a DSM ( deep submicron ) pMOS device is studied, which is based on the physical model of a degradation gate current.
研究了一种建立在退化栅电流物理解析模型基础上的深亚微米pMOS器件HCI（hotcarrierinjection）退化模型。

MOSFET ′ s Damage Induced by Hot Carrier Injection(HCI) and Its Anneapng
MOSFET的热载流子损伤及其退火

Effects of Channel Hot - Carrier Injection s in NMOSFET's at 77K
77KNMOSFET沟道热载流子注入效应

上述内容是“Hot Carrier Injection”作为“HCI”的缩写，解释为“热载体注入”时的信息，以及英语缩略词HCI所代表的英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。