“MOS”是“Metal-Oxide-Semiconductor”的缩写，意思是“金属氧化物半导体”

英语缩略词“MOS”经常作为“Metal-Oxide-Semiconductor”的缩写来使用，中文表示：“金属氧化物半导体”。本文将详细介绍英语缩写词MOS所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词MOS的分类、应用领域及相关应用示例等。

“MOS”（ 金属氧化物半导体 ）释义

• 英文缩写词：MOS
• 英文单词：Metal-Oxide-Semiconductor
• 缩写词中文简要解释：金属氧化物半导体
• 中文拼音：jīn shǔ yǎng huà wù bàn dǎo tǐ
• 缩写词流行度：133
• 缩写词分类：Computing
• 缩写词领域：Hardware

以上为Metal-Oxide-Semiconductor的英文缩略词MOS的中文解释，以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。

英文缩略词MOS的扩展资料

An efficient, self-consistent method of Monte Carlo and Poisson equation is used to simulate the electrical characteristic of deep submicron metal-oxide-semiconductor field effect Transistor ( MOSFET ).
用蒙特卡罗-泊松方程自洽求解的方法，对深亚微米金属-氧化物-半导体场效应晶体管&MOSFET的电特性进行了模拟。

CMOS image sensor is a manufactured image sensor using CMOS ( Complementary Metal-oxide-semiconductor ) technology.
CMOS图像传感器是一种采用CMOS（ComplementaryMetal-oxide-semiconductor，互补金属氧化物半导体(MOS)）工艺制造的图像传感器。

A 2-D charge threshold voltage model of double-diffusion metal-oxide-semiconductor ( DMOS ) device is proposed in the paper.
提出了DMOS器件的二维电荷阈值电压模型。

The Tight-Binding Method is adopted to investigate the I-V characteristics of a three-terminal single-benzene molecular device, with the results well reflecting the electrical characteristics of MOS ( Metal-Oxide-Semiconductor(MOS) ) devices.
采用紧束缚近似法对由单苯基分子构成的三端器件的IV特性进行了研究，所得结果近似表现出了MOS（MetalOxideSemiconductor）器件的电学规律；

In order to implement an analog-to-digital converter ( ADC ) with pipepne structure of 10-bit high performance and low power dissipation, a design method based on 0.6 μ m complementary metal-oxide-semiconductor ( CMOS ) mixed signal technology was proposed.
为了实现10位高性能和低功耗的流水线模拟数字转换器ADC，提出了基于0.6微米互补型金属氧化物半导体(MOS)（CMOS）混合信号工艺的电路设计方法。

上述内容是“Metal-Oxide-Semiconductor”作为“MOS”的缩写，解释为“金属氧化物半导体”时的信息，以及英语缩略词MOS所代表的英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。