“FRAM”是“Ferroelectric Random Access Memory”的缩写，意思是“铁电随机存取存储器”

英语缩略词“FRAM”经常作为“Ferroelectric Random Access Memory”的缩写来使用，中文表示：“铁电随机存取存储器”。本文将详细介绍英语缩写词FRAM所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词FRAM的分类、应用领域及相关应用示例等。

“FRAM”（ 铁电随机存取存储器 ）释义

• 英文缩写词：FRAM
• 英文单词：Ferroelectric Random Access Memory
• 缩写词中文简要解释：铁电随机存取存储器
• 中文拼音：tiě diàn suí jī cún qǔ cún chǔ qì
• 缩写词流行度：726
• 缩写词分类：Computing
• 缩写词领域：Hardware

以上为Ferroelectric Random Access Memory的英文缩略词FRAM的中文解释，以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。

英文缩略词FRAM的扩展资料

Ferroelectric Films and Ferroelectric Random Access Memory(FRAM)
铁电薄膜及铁电存储器研究

Implementation of a Ferroelectric Capacitor in Ferroelectric Random Access Memory(FRAM)
铁电电容模型及其在铁电存储器中的应用

The data storage principle and apppcations in other relative trades of a new nonvolatile ferroelectric random access memory ( FRAM ), which has the characteristic of anti-HEMP ( high electromagnetic pulse ) and will not lose information or data when power off, are introduced in this paper.
介绍了一种新型非易失性存储器（FRAM）的数据存储原理、特性及其在相关行业的应用。

BIT-based ferroelectric thin films have excellent ferroelectric / dielectric properties and promising apppcation prospect in non-volatile random access memory.
钛酸铋基铁电薄膜具有优良的铁电、介电性能，在非挥发性存储器件方面有很好的应用前景。

Researchers now put more focus on non-volatile memory device, such as magnetic memory device, ferroelectric memory device, phase-transition memory device, and resistance random access memory.
目前，研究者们更多的把关注的重点放在了新型非易失性存储器上，例如磁存储器、铁电存储器、相变存储器、电阻存储器。

上述内容是“Ferroelectric Random Access Memory”作为“FRAM”的缩写，解释为“铁电随机存取存储器”时的信息，以及英语缩略词FRAM所代表的英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。