英语缩略词“NOVRAM”经常作为“NOn-Volatile Random Access Memory”的缩写来使用,中文表示:“非易失性随机存取存储器”。本文将详细介绍英语缩写词NOVRAM所代表英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外,还有关于缩略词NOVRAM的分类、应用领域及相关应用示例等。
以上为NOn-Volatile Random Access Memory的英文缩略词NOVRAM的中文解释,以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。
BIT-based ferroelectric thin films have excellent ferroelectric / dielectric properties and promising apppcation prospect in non-volatile random access memory.
钛酸铋基铁电薄膜具有优良的铁电、介电性能,在非挥发性存储器件方面有很好的应用前景。
Researchers now put more focus on non-volatile memory device, such as magnetic memory device, ferroelectric memory device, phase-transition memory device, and resistance random access memory.
目前,研究者们更多的把关注的重点放在了新型非易失性存储器上,例如磁存储器、铁电存储器、相变存储器、电阻存储器。
上述内容是“NOn-Volatile Random Access Memory”作为“NOVRAM”的缩写,解释为“非易失性随机存取存储器”时的信息,以及英语缩略词NOVRAM所代表的英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。
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