“HEMT”是“High Electron Mobility Transistor”的缩写，意思是“高电子迁移率晶体管”

英语缩略词“HEMT”经常作为“High Electron Mobility Transistor”的缩写来使用，中文表示：“高电子迁移率晶体管”。本文将详细介绍英语缩写词HEMT所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词HEMT的分类、应用领域及相关应用示例等。

“HEMT”（ 高电子迁移率晶体管 ）释义

• 英文缩写词：HEMT
• 英文单词：High Electron Mobility Transistor
• 缩写词中文简要解释：高电子迁移率晶体管
• 中文拼音：gāo diàn zǐ qiān yí lǜ jīng tǐ guǎn
• 缩写词流行度：40
• 缩写词分类：Governmental
• 缩写词领域：Military

以上为High Electron Mobility Transistor的英文缩略词HEMT的中文解释，以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。

英文缩略词HEMT的扩展资料

High electron mobipty transistor
高电子迁移率晶体管(HEMT)

Based on the charge control theory, an accurate analytical model for the dc I V characteristics and small signal parameters of an AlGaN / GaN high electron mobipty transistor ( HEMT ) is developed considering the effects of polarization and parasitic source drain resistances.
基于电荷控制理论，考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响，建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)直流IV特性和小信号参数的解析模型。

High electron mobipty transistors ( High Electron MobiptyTransistor ) as a field-effect transistor, have been widely used in communications, electronics and other fields, it has the characteristics of high-power, low-noise, high-frequency, high-speed.
而高电子迁移率晶体管(HEMT)（HighElectronMobiptyTransistor）作为场效应晶体管中的一种，也开始广泛应用于通信、电子等领域，它具有大功率、低噪声、高频、高速等特点。

The PHEMT ( pseudomorphic high electron mobipty transistor ) device has outstanding high-frequency characteristics, power characteristics and low-noise characteristics, and it is one of the most competitions in the field of microwave and milpmeter-wave monopthic integrated circuits.
PHEMT（赝匹配型高电子迁移率管）器件具有优异的高频特性、功率特性和低噪声特性，使之成为微波/毫米波单片集成电路领域中最有竞争力的有源器件之一。

Development of Ka-Band High Electron Mobipty Transistor(HEMT)
Ka波段高电子迁移率晶体管(HEMT)的研制

上述内容是“High Electron Mobility Transistor”作为“HEMT”的缩写，解释为“高电子迁移率晶体管”时的信息，以及英语缩略词HEMT所代表的英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。